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SI2308BDS-T1-GE3

发布时间:2019/8/23 8:47:00 访问次数:40 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

SI2308BDS-T1-GE3 vishay MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23

SI2308BDS-T1-GE3苹果彩票平台开户注册详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.3A
Rds(最大)@ ID,VGS 156 mOhm @ 1.9A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 190pF @ 30V
功率 - 最大 1.66W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 1.9 A
RDS -于 156@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 11 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1090
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 156@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 1.9
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.3A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 156 mOhm @ 1.9A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.66W
输入电容(Ciss ) @ VDS 190pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 6.8nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2308BDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.156 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.09 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2.3 nC V @ 4.5, 4.5 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 190 pF V @ 30
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
苹果彩票平台开户注册种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.9 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 156 mOhms
功率耗散 1.09 W
封装/外壳 SOT-23-3
零件号别名 SI2308BDS-GE3
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 16 ns
漏极电流(最大值) 1.9 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) ?20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 60 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :2.3A
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :192mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
Threshold Voltage Vgs :3V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
功耗 :1.09W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :1.9A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :20V


8月22日消息,高通CEO莫伦科夫近日接受媒体采访时感叹,中国在5G部署方面的进展非常惊人。


莫伦科夫表示,我认为中国正在加速5G的部署,预计今年年底前,中国会部署大约10万个5G基站,非常了不起。


莫伦科夫称,以往的新科技浪潮,都是由美日韩这些国家引领,中国通常会晚个5年甚至10年,但这次他们第一年就推出了。


莫伦科夫还谈到,苹果彩票优选平台的进步令他感到兴奋,每个人、每个公司都想争第一。这种竞争是全球性的,科技公司都在思考如何才能在苹果彩票优选平台变革中受益。
本月早些时候,中国铁塔董事长佟吉禄在中期业绩发布会上表示,目前已经接到运营商关于5G(基站)的建设需求6.5万个,今年建设主要是通过现有的铁塔改造实现,预计全年我们会接到10万个基站的建设需求。


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