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SI2306BDS-T1-GE3

发布时间:2019/8/23 8:48:00 访问次数:39 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

SI2306BDS-T1-GE3 Si2306BDS 系列 N沟道 30 V 47 mOhm 0.75 W 表面贴装 Mosfet - TO-236




SI2306BDS-T1-GE3苹果彩票平台开户注册详细规格
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.16A
Rds(最大)@ ID,VGS 47 mOhm @ 3.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 4.5nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 305pF @ 15V
功率 - 最大 750mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-236
通道模式 Enhancement
最大连续漏极电流 3.16 A
RDS -于 47@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 7 ns
典型关闭延迟时间 14 ns
典型下降时间 6 ns
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
P( TOT ) 0.75W
匹配代码 SI2306BDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我(D ) 4A
V( DS ) 30V
R( DS上) 0.038Ohm
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.16A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 47 mOhm @ 3.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 750mW
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 305pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 4.5nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2306BDS-T1-GE3CT
工厂包装数量 3000
苹果彩票平台开户注册种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 3.16 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 47 mOhms
功率耗散 750 mW
商品名 TrenchFET
封装/外壳 TO-236-3
零件号别名 SI2306BDS-GE3
上升时间 12 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12 ns
栅源电压(最大值) ?20 V
漏源导通电阻 0.047 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-236
引脚数 3
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :4A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :65mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V


8月22日消息,高通CEO莫伦科夫近日接受媒体采访时感叹,中国在5G部署方面的进展非常惊人。


莫伦科夫表示,我认为中国正在加速5G的部署,预计今年年底前,中国会部署大约10万个5G基站,非常了不起。


莫伦科夫称,以往的新科技浪潮,都是由美日韩这些国家引领,中国通常会晚个5年甚至10年,但这次他们第一年就推出了。


莫伦科夫还谈到,苹果彩票优选平台的进步令他感到兴奋,每个人、每个公司都想争第一。这种竞争是全球性的,科技公司都在思考如何才能在苹果彩票优选平台变革中受益。
本月早些时候,中国铁塔董事长佟吉禄在中期业绩发布会上表示,目前已经接到运营商关于5G(基站)的建设需求6.5万个,今年建设主要是通过现有的铁塔改造实现,预计全年我们会接到10万个基站的建设需求。


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