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SI2303CDS-T1-GE3

发布时间:2019/8/23 8:48:00 访问次数:55 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY 30 V 0.19 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3




SI2303CDS-T1-GE3苹果彩票平台开户注册详细规格
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 190 mOhm @ 1.9A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 155pF @ 15V
功率 - 最大 2.3W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 1.9 A
RDS -于 190@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 36 ns
典型上升时间 37 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 9 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
苹果彩票平台开户注册种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 P-Channel
漏源击穿电压 30 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.9 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.19 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 37 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 1 W
上升时间 37 ns
工厂包装数量 3000
零件号别名 SI2303CDS-GE3
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1000
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 190@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 1.9
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 2.3W
匹配代码 SI2303CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我(D ) 2.7A
V( DS ) 30V
R( DS上) 0.158Ohm
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 190 mOhm @ 1.9A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.3W
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 155pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2303CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.19 Ω
最大功率耗散 1 W
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2 nC V @ 4.5, 4 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 155 pF V @ 15
宽度 1.4mm
RDS(ON) 190 mOhms
栅源电压(最大值) ?20 V
漏源导通电阻 0.19 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-2.7A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.158ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-3V
功耗 :1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :-1.9A
工作温度范围 :-55°C to +150°C


8月22日消息,高通CEO莫伦科夫近日接受媒体采访时感叹,中国在5G部署方面的进展非常惊人。


莫伦科夫表示,我认为中国正在加速5G的部署,预计今年年底前,中国会部署大约10万个5G基站,非常了不起。


莫伦科夫称,以往的新科技浪潮,都是由美日韩这些国家引领,中国通常会晚个5年甚至10年,但这次他们第一年就推出了。


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公司:香港鑫锐电子有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
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