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SISS22DN-T1-GE3功率MOSFET针对标准栅极驱动器进行了优化新款上市!

发布时间:2019/8/24 9:42:00 访问次数:55 发布企业:深圳市徕派德电子有限公司

TrenchFET®功率MOSFET针对标准栅极驱动器进行了优化 Vishay的60 V MOSFET在PowerPAK®1212-8S封装中提高了效率和功率密度

Vishay / Siliconix的60V功率MOSFET图像优化用于标准栅极驱动器60 V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET是业界首款针对标准栅极驱动进行优化的MOSFET,采用耐热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装,在10 V时提供低至4mΩ的最大导通电阻。Vishay Siliconix SiSS22DN旨在提高开关拓扑结构的效率和功率密度,具有低QOSS和22.5 nC的栅极电荷。

特征 10 V时最大导通电阻低至4mΩ,可最大限度地降低导通损耗 低QOSS为34.2 nC,栅极电荷为22.5 nC,可降低开关时的功率损耗 采用紧凑的3.3 mm x 3.3mmPowerPAK®1212-8S封装 100%RG和UIS测试,符合RoHS标准,不含卤素 应用 AC / DC和DC / DC拓扑中的同步整流 DC / DC转换器中的初级侧开关,降压 - 升压转换器中的半桥MOSFET功率级以及电信和服务器电源中的OR-ing功能 电动工具和工业设备中的电机驱动控制和电路保护 电池管理模块中的电池保护和充电

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