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发布时间:2019/8/24 11:32:00 访问次数:48 发布企业:深圳市徕派德电子有限公司

DDR4 DRAM ISSI 的 4 Gb DRAM 采用 96 球 BGA 封装,提供长生命周期支持和世界一流的品质

ISSI DDR4 SDRAM 的图片ISSI的 4 Gb DDR4 器件采用 256 Mb x 16 封装,采用 96 引脚 BGA 封装,工作电压为 1.2 V。ISSI 的 DDR4 提供先进的网络、汽车和工业系统所需的低功耗、高带宽、高性能和高可靠性。这是 ISSI 的第一款 DDR4 DRAM,为 ISSI 广泛的 DRAM 选择再添成员。ISSI 提供的 DDR4 附带汽车、工业、通信和其他细分市场客户应用所需长生命周期苹果彩票平台开户注册支持。

特性 标准电压:VDD= VDDQ= 1.2 V、VPP= 2.5 V 数据完整性 DRAM 内置 TS 自动刷新 (ASR) 自动刷新和自刷新模式 DRAM 存取带宽 存储体组单独 IO 门控结构 自刷新中止 细粒度刷新 可靠性和错误处理 命令/地址奇偶校验 数据总线写 CRC MPR 读出 边界扫描 (x16) 节电和效率 POD 与 VDDQ终止 命令/地址延迟 (CAL) 最大功率节省 低功耗自刷新 (LPASR) 信号同步 通过 MR 设置实现写入均衡 通过 MPR 读取均衡 信号完整性 内部 VREFDQ训练 读取前引 (read preamble) 训练 减速模式 每个 DRAM 可寻址性 可配置的 DS,用于系统兼容性 可配置的片内端接 数据总线反转 (DBI) 通过外部 ZQ 焊盘(240 欧姆 ±1%)进行 DS/ODT 阻抗精度的 ZQ 校准 工作温度范围 商用(Tc = 0°C 至 +95°C) 工业(-40°C 至 +95°C) 汽车,A1(Tc = -40°C 至 +95°C) 汽车,A2(Tc = -40°C 至 +105°C) 汽车,A3(Tc = -40°C 至 +125°C) 应用 汽车 信息娱乐系统 远程信息处理 驾驶员信息系统 工业 人机界面 (HMI) 嵌入式计算 电信/网络 SDN 和 NFV 接入和聚合节点 交换机和路由器 数据包光传输 网络存储 (PON OLT、DSLAM、CMTS 和无线)

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